IAUT300N08S5N012ATMA2

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Herstellerteil

IAUT300N08S5N012ATMA2

Hersteller
IR (Infineon Technologies)
Beschreibung
MOSFET N-CH 80V 300A 8HSOF
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - Fets, Mosfets - einzeln
Serie
-
Auf Lager
2788
Datenblätter online
IAUT300N08S5N012ATMA2 PDF
Anfrage
  • Serie:OptiMOS™
  • Paket:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • Teilstatus:Active
  • fet-Typ:N-Channel
  • Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain-Source-Spannung (vdss):80 V
  • Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:300A (Tc)
  • Antriebsspannung (max rds an, min rds an):6V, 10V
  • rds auf (max) @ id, vgs:1.2mOhm @ 100A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:3.8V @ 275µA
  • Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:231 nC @ 10 V
  • vgs (max):±20V
  • Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:16250 pF @ 40 V
  • fet-Funktion:-
  • Verlustleistung (max.):375W (Tc)
  • Betriebstemperatur:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • Befestigungsart:Surface Mount
  • Gerätepaket des Lieferanten:PG-HSOF-8-1
  • Paket / Koffer:8-PowerSFN
Versand Lieferzeitraum Bei vorrätigen Teilen werden Bestellungen voraussichtlich in 3 Tagen versandt.
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Teile sollten unbenutzt und originalverpackt sein.
Die Versandkosten trägt der Kunde.
Garantie Alle Einkäufe werden mit einem 30-tägigen Geld-zurück-Recht sowie einer 90-tägigen Garantie gegen Herstellungsfehler geliefert.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden

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